Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - RF
  5. BLP10H605Z

Ampleon USA Inc. - BLP10H605Z

KEY Part #: K6465820

BLP10H605Z Cenas (USD) [6527gab krājumi]

  • 1 pcs$7.66270
  • 500 pcs$7.62458
Daļas numurs:
BLP10H605Z
Ražotājs:
Ampleon USA Inc.
Detalizēts apraksts:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - RF and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLP10H605Z electronic components. BLP10H605Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP10H605Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLP10H605Z Produkta atribūti

Daļas numurs : BLP10H605Z
Ražotājs : Ampleon USA Inc.
Apraksts : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Tranzistora tips : LDMOS (Dual), Common Source
Biežums : 860MHz
Iegūt : 22.4dB
Spriegums - pārbaude : 50V
Pašreizējais vērtējums : -
Trokšņa attēls : -
Pašreizējā - pārbaude : 30mA
Jauda - jauda : 5W
Spriegums - Nomināls : 104V
Iepakojums / lieta : 12-VDFN Exposed Pad
Piegādātāja ierīces pakete : 12-HVSON (6x5)
Jūs varētu arī interesēt
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

Karstās daļas