Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N5802US

Microsemi Corporation - 1N5802US

KEY Part #: K6440029

1N5802US Cenas (USD) [8333gab krājumi]

  • 1 pcs$5.53078
  • 10 pcs$4.97683
  • 25 pcs$4.53427
  • 100 pcs$4.09199
  • 250 pcs$3.76019
  • 500 pcs$3.42841
Daļas numurs:
1N5802US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5802US electronic components. 1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5802US Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5802US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, A
Piegādātāja ierīces pakete : D-5A
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • 1N4151W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

  • 1N4448W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • BAV21W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • 1N4448W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

Karstās daļas