Daļas numurs :
IPD50R650CEBTMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Daļas statuss :
Discontinued at Digi-Key
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
500V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
6.1A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3.5V @ 150µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
15nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
342pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
47W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PG-TO252-3
Iepakojums / lieta :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63