BAS316,H3F Cenas (USD) [3056256gab krājumi]
- 1 pcs$0.01210
- Daļas numurs:
- BAS316,H3F
- Ražotājs:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - RF and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F electronic components. BAS316,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS316,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS316,H3F Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAS316,H3F
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
250mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
3ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
200nA @ 80V
Kapacitāte @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SC-76, SOD-323
Piegādātāja ierīces pakete :
USC
Darba temperatūra - krustojums :
150°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08