| Attēls | KEY atslēgas numurs / ražotājs | Apraksts / PDF | Daudzums / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B. |
710gab krājumi |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
261gab krājumi |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B. |
897gab krājumi |
 |
IXYS-RF |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375. |
4227gab krājumi |
 |
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04. |
511gab krājumi |
 |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247. |
2607gab krājumi |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B. |
1214gab krājumi |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
345gab krājumi |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A. |
261gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450. |
717gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H. |
254gab krājumi |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S. |
186gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER. |
407gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 803MHZ. |
920gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
1834gab krājumi |
|
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS TRANS CELL. |
1231gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-272-4. |
1429gab krājumi |
|
NXP USA Inc. |
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE. |
252gab krājumi |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V. |
3345gab krājumi |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230. |
258gab krājumi |
Klasifikācijas lapas
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse19
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse20
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse21
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse22
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse23
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse24
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse25
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse26
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse27
- Tranzistori - FET, MOSFET - RF - Lappuse28
success