Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4004GPE-E3/73

KEY Part #: K6458079

1N4004GPE-E3/73 Cenas (USD) [857050gab krājumi]

  • 1 pcs$0.04554
  • 9,000 pcs$0.04532

Daļas numurs:
1N4004GPE-E3/73
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL. Rectifiers Vr/400V Io/1A Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4004GPE-E3/73 electronic components. 1N4004GPE-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4004GPE-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4004GPE-E3/73 Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N4004GPE-E3/73
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 2µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-204AL, DO-41, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-204AL (DO-41)
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM