Daļas numurs :
SIHA4N80E-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
800V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
32nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
622pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
69W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220 Full Pack
Iepakojums / lieta :
TO-220-3 Full Pack