ON Semiconductor - FDS3512

KEY Part #: K6392822

FDS3512 Cenas (USD) [93051gab krājumi]

  • 1 pcs$0.42231
  • 2,500 pcs$0.42021

Daļas numurs:
FDS3512
Ražotājs:
ON Semiconductor
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - RF and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in ON Semiconductor FDS3512 electronic components. FDS3512 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS3512, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS3512 Produkta atribūti

Daļas numurs : FDS3512
Ražotājs : ON Semiconductor
Apraksts : MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Sērija : PowerTrench®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 80V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 18nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 40V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2.5W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : 8-SOIC
Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Jūs varētu arī interesēt