Infineon Technologies - DF80R12W2H3_B11

KEY Part #: K6532737

DF80R12W2H3_B11 Cenas (USD) [1956gab krājumi]

  • 1 pcs$22.13400

Daļas numurs:
DF80R12W2H3_B11
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE VCES 1200V 160A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - TRIAC, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies DF80R12W2H3_B11 electronic components. DF80R12W2H3_B11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF80R12W2H3_B11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF80R12W2H3_B11 Produkta atribūti

Daļas numurs : DF80R12W2H3_B11
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE VCES 1200V 160A
Sērija : *
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : -
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : -
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
Jauda - maks : -
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : -
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : -
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : -
Ievade : -
NTC termistors : -
Darbības temperatūra : -
Montāžas tips : -
Iepakojums / lieta : -
Piegādātāja ierīces pakete : -

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT