Infineon Technologies - IRF3709PBF

KEY Part #: K6402773

IRF3709PBF Cenas (USD) [55666gab krājumi]

  • 1 pcs$0.67732
  • 10 pcs$0.59872
  • 100 pcs$0.47325
  • 500 pcs$0.34717
  • 1,000 pcs$0.27408

Daļas numurs:
IRF3709PBF
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - JFET, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IRF3709PBF electronic components. IRF3709PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3709PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3709PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRF3709PBF
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Sērija : HEXFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 41nC @ 5V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2672pF @ 16V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • CPH6443-P-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 35V 6A CPH6.

  • CPH6341-M-TL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M018A020CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 200V 18A DPAK.

  • GP1M009A020CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.

  • GP1M008A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 8A DPAK.