Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS307E,L3F

KEY Part #: K6453229

1SS307E,L3F Cenas (USD) [3127807gab krājumi]

  • 1 pcs$0.19775
  • 10 pcs$0.14040
  • 25 pcs$0.11533
  • 100 pcs$0.09223
  • 250 pcs$0.06706
  • 500 pcs$0.05449
  • 1,000 pcs$0.04192
  • 2,500 pcs$0.03773

Daļas numurs:
1SS307E,L3F
Ražotājs:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F electronic components. 1SS307E,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS307E,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS307E,L3F Produkta atribūti

Daļas numurs : 1SS307E,L3F
Ražotājs : Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 80V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 100mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100mA
Ātrums : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10nA @ 80V
Kapacitāte @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SC-79, SOD-523
Piegādātāja ierīces pakete : SC-79
Darba temperatūra - krustojums : 150°C (Max)

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-50WQ06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ04FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • RGL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA.

  • VS-ETL1506S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns

  • SGL41-60-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt