Vishay Siliconix - SIHB22N65E-GE3

KEY Part #: K6392762

SIHB22N65E-GE3 Cenas (USD) [17545gab krājumi]

  • 1 pcs$2.34893
  • 10 pcs$2.09685
  • 100 pcs$1.71926
  • 500 pcs$1.39216
  • 1,000 pcs$1.17411

Daļas numurs:
SIHB22N65E-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - JFET, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC and Diodes - tilta taisngrieži ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N65E-GE3 electronic components. SIHB22N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB22N65E-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHB22N65E-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 110nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2415pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 227W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D2PAK
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB