SE30PAGHM3/I Cenas (USD) [795249gab krājumi]
- 1 pcs$0.04651
- 14,000 pcs$0.04215
- Daļas numurs:
- SE30PAGHM3/I
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC. Rectifiers 3A, 400V, ESD PROTECTION, SMPA
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tiristori - SCR ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30PAGHM3/I electronic components. SE30PAGHM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30PAGHM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE30PAGHM3/I Produkta atribūti
Daļas numurs :
SE30PAGHM3/I
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Sērija :
eSMP®
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.16V @ 3A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
1.3µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F :
13pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-221BC (SMPA)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
CDSV-19-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA 200mW
-
CDSV-21-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW
-
-
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A, 45V, TMBS
-
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 50V,TRENCH SKY RECT.
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18