Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41GHE3/97

KEY Part #: K6457816

GL41GHE3/97 Cenas (USD) [695844gab krājumi]

  • 1 pcs$0.05316
  • 10,000 pcs$0.04817

Daļas numurs:
GL41GHE3/97
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41GHE3/97 electronic components. GL41GHE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41GHE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41GHE3/97 Produkta atribūti

Daļas numurs : GL41GHE3/97
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-213AB, MELF (Glass)
Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AB
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated