Daļas numurs :
SI4850BDY-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 60V SO-8
Sērija :
TrenchFET® Gen IV
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
2.8V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
17nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 30V
Jaudas izkliede (maks.) :
2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
8-SO
Iepakojums / lieta :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)