Daļas numurs :
IPB80N08S2L07ATMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
75V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
233nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
5400pF @ 25V
Jaudas izkliede (maks.) :
300W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PG-TO263-3-2
Iepakojums / lieta :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB