ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-25DBI-TR

KEY Part #: K936914

IS43DR16320D-25DBI-TR Cenas (USD) [15374gab krājumi]

  • 1 pcs$3.32344
  • 2,500 pcs$3.30690

Daļas numurs:
IS43DR16320D-25DBI-TR
Ražotājs:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detalizēts apraksts:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Loģika - buferi, draiveri, uztvērēji, uztvērēji, Lineārs - video apstrāde, Interfeiss - signālu buferi, atkārtotāji, sadalītā, Interfeiss - kodētāji, dekoderi, pārveidotāji, Atmiņas, PMIC - akumulatoru lādētāji, PMIC - sprieguma regulatori - līdzstrāvas līdzstrā and Iegulti - mikrokontrolleri - specifiski lietojumi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-TR electronic components. IS43DR16320D-25DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-25DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-25DBI-TR Produkta atribūti

Daļas numurs : IS43DR16320D-25DBI-TR
Ražotājs : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Apraksts : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Volatile
Atmiņas formāts : DRAM
Tehnoloģijas : SDRAM - DDR2
Atmiņas lielums : 512Mb (32M x 16)
Pulksteņa frekvence : 400MHz
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 15ns
Piekļuves laiks : 400ps
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.9V
Darbības temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 84-TFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 84-TWBGA (8x12.5)

Jaunākās ziņas

Jūs varētu arī interesēt
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16