Vishay Siliconix - SI7964DP-T1-E3

KEY Part #: K6523544

[4671gab krājumi]


    Daļas numurs:
    SI7964DP-T1-E3
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Strāvas draivera moduļi and Tiristori - TRIAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7964DP-T1-E3 electronic components. SI7964DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7964DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7964DP-T1-E3 Produkta atribūti

    Daļas numurs : SI7964DP-T1-E3
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
    Sērija : TrenchFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : 2 N-Channel (Dual)
    FET iezīme : Standard
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 6.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Jauda - maks : 1.4W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8 Dual
    Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8 Dual