RBR3LAM30BTR Cenas (USD) [748709gab krājumi]
- 1 pcs$0.05461
- 3,000 pcs$0.05434
- 6,000 pcs$0.05105
- 15,000 pcs$0.04775
- 30,000 pcs$0.04380
- Daļas numurs:
- RBR3LAM30BTR
- Ražotājs:
- Rohm Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 3A Io Schottky Br Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - Zener - Single and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM30BTR electronic components. RBR3LAM30BTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM30BTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RBR3LAM30BTR Produkta atribūti
Daļas numurs :
RBR3LAM30BTR
Ražotājs :
Rohm Semiconductor
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
30V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
530mV @ 3A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
80µA @ 30V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-128
Piegādātāja ierīces pakete :
PMDTM
Darba temperatūra - krustojums :
150°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Karstās daļas
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54