1N4448HLP-7 Cenas (USD) [858781gab krājumi]
- 1 pcs$0.04329
- 3,000 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 15,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- Daļas numurs:
- 1N4448HLP-7
- Ražotājs:
- Diodes Incorporated
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN. Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 125mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448HLP-7 electronic components. 1N4448HLP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448HLP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448HLP-7 Produkta atribūti
Daļas numurs :
1N4448HLP-7
Ražotājs :
Diodes Incorporated
Apraksts :
DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
80V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
125mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 80V
Kapacitāte @ Vr, F :
3pF @ 0.5V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
0402 (1006 Metric)
Piegādātāja ierīces pakete :
X1-DFN1006-2
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0 Amp 100 Volt
-
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0 Amp 50 Volt
-
FESB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 50ns 125 Amp IFSM
-
FESB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 300 Volt 8.0A 50ns Single
Karstās daļas
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18