Daļas numurs :
MBRT200200
Ražotājs :
GeneSiC Semiconductor
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Diodes konfigurācija :
1 Pair Common Cathode
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji rektificēts (Io) (par diodi) :
100A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
920mV @ 100A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1mA @ 200V
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Montāžas tips :
Chassis Mount
Iepakojums / lieta :
Three Tower
Piegādātāja ierīces pakete :
Three Tower