Infineon Technologies - 6MS20017E43W38170NOSA1

KEY Part #: K6532487

6MS20017E43W38170NOSA1 Cenas (USD) [2gab krājumi]

  • 1 pcs$12531.40530

Daļas numurs:
6MS20017E43W38170NOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE 690V 1200A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies 6MS20017E43W38170NOSA1 electronic components. 6MS20017E43W38170NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS20017E43W38170NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS20017E43W38170NOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : 6MS20017E43W38170NOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE 690V 1200A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : Three Phase Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1700V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
Jauda - maks : -
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : -
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : -
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : -
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -25°C ~ 55°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.