IDP30E65D1XKSA1 Cenas (USD) [47232gab krājumi]
- 1 pcs$0.66478
- 10 pcs$0.59788
- 100 pcs$0.48065
- 500 pcs$0.39489
- 1,000 pcs$0.30951
- Daļas numurs:
- IDP30E65D1XKSA1
- Ražotājs:
- Infineon Technologies
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Infineon Technologies IDP30E65D1XKSA1 electronic components. IDP30E65D1XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E65D1XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP30E65D1XKSA1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
IDP30E65D1XKSA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
650V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
60A (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 30A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
64ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
40µA @ 650V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-220-2
Piegādātāja ierīces pakete :
PG-TO220-2-1
Darba temperatūra - krustojums :
-40°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
SE20FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE20FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G