1N4151W-E3-18 Cenas (USD) [2895399gab krājumi]
- 1 pcs$0.01348
- 10,000 pcs$0.01342
- Daļas numurs:
- 1N4151W-E3-18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4151W-E3-18 electronic components. 1N4151W-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4151W-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4151W-E3-18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
1N4151W-E3-18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
150mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
50nA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-123
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-123
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Karstās daļas
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97