Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N5812

Microsemi Corporation - 1N5812

KEY Part #: K6444742

1N5812 Cenas (USD) [2139gab krājumi]

  • 1 pcs$21.35820
  • 100 pcs$21.25194
Daļas numurs:
1N5812
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - TRIAC, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5812 electronic components. 1N5812 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5812, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5812 Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5812
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 20A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 20A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 15ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : 300pF @ 10V, 1MHz
Montāžas tips : Stud Mount
Iepakojums / lieta : DO-203AA, DO-4, Stud
Piegādātāja ierīces pakete : DO-203AA
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • BYM13-30-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • ES2A-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt

  • SS210-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM

  • GI818-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

Karstās daļas