Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GA200SA60SP

KEY Part #: K6533628

[771gab krājumi]


    Daļas numurs:
    VS-GA200SA60SP
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    MODULE IGBT SOT-227.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA200SA60SP electronic components. VS-GA200SA60SP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GA200SA60SP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GA200SA60SP Produkta atribūti

    Daļas numurs : VS-GA200SA60SP
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : MODULE IGBT SOT-227
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    IGBT tips : -
    Konfigurācija : Single
    Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V
    Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
    Jauda - maks : 781W
    Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.3V @ 15V, 100A
    Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 1mA
    Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 16.25nF @ 30V
    Ievade : Standard
    NTC termistors : No
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Chassis Mount
    Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC
    Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227

    Jūs varētu arī interesēt
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.