BYT51M-TAP Cenas (USD) [445338gab krājumi]
- 1 pcs$0.08347
- 25,000 pcs$0.08305
- Daļas numurs:
- BYT51M-TAP
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYT51M-TAP electronic components. BYT51M-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYT51M-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYT51M-TAP Produkta atribūti
Daļas numurs :
BYT51M-TAP
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
SOD-57, Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-57
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
BYV29-600PQ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB. Rectifiers BYV29-600PQ/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
-
S07J-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
S07M-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
-
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
-
NSB8KTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G