GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Diodes - RF, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Diodes - tilta taisngrieži ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : GA04JT17-247

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Sērija : -

Daļas statuss : Active

FET tips : -

Tehnoloģijas : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1700V

Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Maks.) @ ID : -

Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -

VG (maksimāli) : -

Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET iezīme : -

Jaudas izkliede (maks.) : 106W (Tc)

Darbības temperatūra : 175°C (TJ)

Montāžas tips : Through Hole

Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AB

Iepakojums / lieta : TO-247-3

Jūs varētu arī interesēt

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.