Diodes Incorporated - DMJ70H1D3SI3

KEY Part #: K6397819

DMJ70H1D3SI3 Cenas (USD) [98319gab krājumi]

  • 1 pcs$0.49754
  • 75 pcs$0.39920
  • 150 pcs$0.33043
  • 525 pcs$0.25624
  • 1,050 pcs$0.20230

Daļas numurs:
DMJ70H1D3SI3
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tranzistori - JFET ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 electronic components. DMJ70H1D3SI3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H1D3SI3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H1D3SI3 Produkta atribūti

Daļas numurs : DMJ70H1D3SI3
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 700V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 351pF @ 50V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 41W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-251
Iepakojums / lieta : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Jūs varētu arī interesēt
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.