Vishay Siliconix - SIHG120N60E-GE3

KEY Part #: K6395245

SIHG120N60E-GE3 Cenas (USD) [15034gab krājumi]

  • 1 pcs$2.74115

Daļas numurs:
SIHG120N60E-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET E SERIES 600V TO247AC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG120N60E-GE3 electronic components. SIHG120N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG120N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG120N60E-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHG120N60E-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET E SERIES 600V TO247AC
Sērija : E
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 45nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1562pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 179W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AC
Iepakojums / lieta : TO-247-3