Daļas numurs :
SI7720DN-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
Sērija :
SkyFET®, TrenchFET®
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
45nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
1790pF @ 15V
Jaudas izkliede (maks.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Darbības temperatūra :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PowerPAK® 1212-8
Iepakojums / lieta :
PowerPAK® 1212-8