Vishay Siliconix - SIA441DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6418198

SIA441DJ-T1-GE3 Cenas (USD) [347726gab krājumi]

  • 1 pcs$0.10637
  • 3,000 pcs$0.10048

Daļas numurs:
SIA441DJ-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET P-CH 40V 12A SC-70.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIA441DJ-T1-GE3 electronic components. SIA441DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA441DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA441DJ-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIA441DJ-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET P-CH 40V 12A SC-70
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : P-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 40V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 35nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 20V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SC-70-6 Single
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SC-70-6

Jūs varētu arī interesēt
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • TK9A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.