SE10FDHM3/H Cenas (USD) [1223781gab krājumi]
- 1 pcs$0.03189
- 30,000 pcs$0.03173
- Daļas numurs:
- SE10FDHM3/H
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE10FDHM3/H electronic components. SE10FDHM3/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE10FDHM3/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE10FDHM3/H Produkta atribūti
Daļas numurs :
SE10FDHM3/H
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.05V @ 1A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
780ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
7.5pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-219AB (SMF)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
-
SD101AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
-
BAV19W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
-
GSD2004W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
-
BAT42W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO
-
GSD2004W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G