1SS250(TE85L,F) Cenas (USD) [999160gab krājumi]
- 1 pcs$0.03906
- 3,000 pcs$0.03887
- Daļas numurs:
- 1SS250(TE85L,F)
- Ražotājs:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250(TE85L,F) electronic components. 1SS250(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS250(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS250(TE85L,F) Produkta atribūti
Daļas numurs :
1SS250(TE85L,F)
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
Sērija :
-
Daļas statuss :
Not For New Designs
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
100mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 100mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
60ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete :
SC-59
Darba temperatūra - krustojums :
125°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18