IXYS - IXFH16N120P

KEY Part #: K6400918

IXFH16N120P Cenas (USD) [6557gab krājumi]

  • 1 pcs$7.22307
  • 10 pcs$6.56819
  • 100 pcs$5.58296

Daļas numurs:
IXFH16N120P
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - TRIAC and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFH16N120P electronic components. IXFH16N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH16N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH16N120P Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFH16N120P
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Sērija : HiPerFET™, PolarP2™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 6.5V @ 1mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 120nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 660W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AD (IXFH)
Iepakojums / lieta : TO-247-3