Taiwan Semiconductor Corporation - SS33 M6G

KEY Part #: K6458047

SS33 M6G Cenas (USD) [826891gab krājumi]

  • 1 pcs$0.04473

Daļas numurs:
SS33 M6G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SS33 M6G electronic components. SS33 M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS33 M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS33 M6G Produkta atribūti

Daļas numurs : SS33 M6G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Sērija : -
Daļas statuss : Not For New Designs
Diodes tips : Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 30V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 500µA @ 30V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 125°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM