Vishay Siliconix - SIZ916DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523834

SIZ916DT-T1-GE3 Cenas (USD) [4032gab krājumi]

  • 3,000 pcs$0.32890

Daļas numurs:
SIZ916DT-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3 electronic components. SIZ916DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ916DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ916DT-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIZ916DT-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Obsolete
FET tips : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 16A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 26nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1208pF @ 15V
Jauda - maks : 22.7W, 100W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-PowerWDFN
Piegādātāja ierīces pakete : 8-PowerPair® (6x5)

Jūs varētu arī interesēt