1N4448HWS-7-F Cenas (USD) [2240034gab krājumi]
- 1 pcs$0.01659
- 3,000 pcs$0.01651
- 6,000 pcs$0.01436
- 15,000 pcs$0.01221
- 30,000 pcs$0.01149
- 75,000 pcs$0.01077
- 150,000 pcs$0.00933
- Daļas numurs:
- 1N4448HWS-7-F
- Ražotājs:
- Diodes Incorporated
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/90V Io/250mA T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448HWS-7-F electronic components. 1N4448HWS-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448HWS-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448HWS-7-F Produkta atribūti
Daļas numurs :
1N4448HWS-7-F
Ražotājs :
Diodes Incorporated
Apraksts :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
80V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
250mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 80V
Kapacitāte @ Vr, F :
3.5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SC-76, SOD-323
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-323
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18