Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N6630US

Microsemi Corporation - 1N6630US

KEY Part #: K6447697

1N6630US Cenas (USD) [3537gab krājumi]

  • 1 pcs$12.24659
  • 100 pcs$7.55184
Daļas numurs:
1N6630US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6630US electronic components. 1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6630US Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N6630US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 900V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1.4A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 4µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : E-MELF
Piegādātāja ierīces pakete : D-5B
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

Karstās daļas