Infineon Technologies - 94-4582

KEY Part #: K6414973

[12571gab krājumi]


    Daļas numurs:
    94-4582
    Ražotājs:
    Infineon Technologies
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - JFET and Strāvas draivera moduļi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Infineon Technologies 94-4582 electronic components. 94-4582 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 94-4582, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    94-4582 Produkta atribūti

    Daļas numurs : 94-4582
    Ražotājs : Infineon Technologies
    Apraksts : MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
    Sērija : HEXFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : P-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 55V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 63nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±20V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 3.8W (Ta), 110W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : D2PAK
    Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB