Daļas numurs :
VS-GT100TP120N
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Konfigurācija :
Half Bridge
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) :
1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) :
180A
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) :
5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Darbības temperatūra :
175°C (TJ)
Montāžas tips :
Chassis Mount
Iepakojums / lieta :
INT-A-PAK (3 + 4)
Piegādātāja ierīces pakete :
INT-A-PAK