SD101CW-HE3-18 Cenas (USD) [1855583gab krājumi]
- 1 pcs$0.02103
- 10,000 pcs$0.02093
- Daļas numurs:
- SD101CW-HE3-18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 400MW 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40Volt 2A IFSM AUTO
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Tiristori - SCR - moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SD101CW-HE3-18 electronic components. SD101CW-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SD101CW-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SD101CW-HE3-18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
SD101CW-HE3-18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 400MW 40V SOD123
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
40V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
30mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 15mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
1ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
200nA @ 30V
Kapacitāte @ Vr, F :
2.2pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-123
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-123
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 125°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
-
BAV19W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Karstās daļas
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54