Vishay Semiconductor Diodes Division - G5SBA80-E3/51

KEY Part #: K6541849

[4062gab krājumi]


    Daļas numurs:
    G5SBA80-E3/51
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU. Bridge Rectifiers 800 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Diodes - RF ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G5SBA80-E3/51 electronic components. G5SBA80-E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G5SBA80-E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G5SBA80-E3/51 Produkta atribūti

    Daļas numurs : G5SBA80-E3/51
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.8A GBU
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    Diodes tips : Single Phase
    Tehnoloģijas : Standard
    Spriegums - maksimālais reverss (maks.) : 800V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2.8A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 3A
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 800V
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Through Hole
    Iepakojums / lieta : 4-SIP, GBU
    Piegādātāja ierīces pakete : GBU

    Jūs varētu arī interesēt
    • E-L6210

      STMicroelectronics

      BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

    • GBPC15005W/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • PBPC1007

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

    • PBPC1001

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.