1N4005G-T Cenas (USD) [1771238gab krājumi]
- 1 pcs$0.02536
- 5,000 pcs$0.02523
- 10,000 pcs$0.02145
- 25,000 pcs$0.02019
- 50,000 pcs$0.01892
- Daļas numurs:
- 1N4005G-T
- Ražotājs:
- Diodes Incorporated
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 600V
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - JFET, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4005G-T electronic components. 1N4005G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4005G-T Produkta atribūti
Daļas numurs :
1N4005G-T
Ražotājs :
Diodes Incorporated
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
2µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
DO-204AL, DO-41, Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-41
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
VS-30EPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp
Karstās daļas
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A