Daļas numurs :
SISH407DN-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
15.4A (Ta), 25A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
1V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
93.8nC @ 8V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
2760pF @ 10V
Jaudas izkliede (maks.) :
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PowerPAK® 1212-8SH
Iepakojums / lieta :
PowerPAK® 1212-8SH