Vishay Siliconix - SIA414DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6416663

SIA414DJ-T1-GE3 Cenas (USD) [211203gab krājumi]

  • 1 pcs$0.17513
  • 3,000 pcs$0.16445

Daļas numurs:
SIA414DJ-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - RF, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - Zener - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIA414DJ-T1-GE3 electronic components. SIA414DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA414DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA414DJ-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIA414DJ-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 8V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 800mV @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 32nC @ 5V
VG (maksimāli) : ±5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 4V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SC-70-6 Single
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SC-70-6

Jūs varētu arī interesēt
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.