NHPJ08S600G Cenas (USD) [2747gab krājumi]
- 1,200 pcs$0.15424
- Daļas numurs:
- NHPJ08S600G
- Ražotājs:
- ON Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers PLANAR ULTRAFAST 600V 8A
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in ON Semiconductor NHPJ08S600G electronic components. NHPJ08S600G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NHPJ08S600G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NHPJ08S600G Produkta atribūti
Daļas numurs :
NHPJ08S600G
Ražotājs :
ON Semiconductor
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Sērija :
-
Daļas statuss :
Obsolete
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
8A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
3.2V @ 8A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
30µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-220-2 Full Pack
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220FP
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.
-
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Karstās daļas
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G