Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N5407-G

Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

1N5407-G Cenas (USD) [1221065gab krājumi]

  • 1 pcs$0.03197
  • 1,200 pcs$0.03181
Daļas numurs:
1N5407-G
Ražotājs:
Comchip Technology
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Comchip Technology 1N5407-G electronic components. 1N5407-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407-G Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5407-G
Ražotājs : Comchip Technology
Apraksts : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 800V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 800V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-201AD, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-27 (DO-201AD)
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 125°C

Jaunākās ziņas

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Jūs varētu arī interesēt
  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-HFA08TA60C-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

  • VSB1545-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-8ETU04STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.

  • VS-MBRB1045PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

Karstās daļas