GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

Detalizēts apraksts:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S6JR electronic components. S6JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : S6JR

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard, Reverse Polarity

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 6A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 6A

Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 100V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Chassis, Stud Mount

Iepakojums / lieta : DO-203AA, DO-4, Stud

Piegādātāja ierīces pakete : DO-4

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Karstās daļas