Daļas numurs :
STGWA50M65DF2
Ražotājs :
STMicroelectronics
Apraksts :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
IGBT tips :
Trench Field Stop
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) :
650V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) :
80A
Pašreizējais - kolekcionārs pulsēts (Icm) :
150A
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Komutācijas enerģija :
880µJ (on), 1.57mJ (off)
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C :
42ns/130ns
Pārbaudes apstākļi :
400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
162ns
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-247-3
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-247 Long Leads